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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > FQP8N80C

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FQP8N80C

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1000+

$1.149

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

FQP8N80C
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 800V 8A TO-220
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

1.FQP8N80C.pdf
2.FQP8N80C.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-220AB
Série

QFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

1.55 Ohm @ 4A, 10V
Dissipação de energia (Max)

178W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-220-3
Outros nomes

FQP8N80C-ND
FQP8N80CFS
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

35 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2050pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

800V
Descrição detalhada

N-Channel 800V 8A (Tc) 178W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

8A (Tc)

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