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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > FQPF6N80T

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4314980

Imagem FQPF6N80T.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQPF6N80T

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$2.303

500+

$1.791

1000+

$1.484

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

FQPF6N80T
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 800V 3.3A TO-220F
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

FQPF6N80T.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-220F
Série

QFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

1.95 Ohm @ 1.65A, 10V
Dissipação de energia (Max)

51W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-220-3 Full Pack
Outros nomes

FQPF6N80T-ND
FQPF6N80TFS
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1500pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

800V
Descrição detalhada

N-Channel 800V 3.3A (Tc) 51W (Tc) Through Hole TO-220F
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

3.3A (Tc)

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