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Casa > Produtos > Isoladores de > Fotovoltaica saída Optoisolators - Transistor, > H11F2

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103613

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

H11F2

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

H11F2
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-DIP
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

H11F2.pdf
Tensão - Saída (Max)

30V
Tensão - Isolamento

5300Vrms
Voltagem - Avanço (Vf) (Tipo)

1.3V
Vce Saturação (Max)

-
Ativar / Desativar o Tempo (Typ)

25µs, 25µs (Max)
Embalagem do dispositivo fornecedor

6-DIP
Série

-
Aumento / tempo de queda (típico)

-
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

6-DIP (0.300", 7.62mm)
Tipo de saída

MOSFET
Outros nomes

H11F2GE
H11F2QT
H11F2QT-ND
Temperatura de operação

-55°C ~ 100°C
Número de canais

1
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada

DC
Descrição detalhada

Optoisolator MOSFET Output 5300Vrms 1 Channel 6-DIP
Taxa de transferência de corrente (Min)

-
Taxa de transferência de corrente (máx)

-
Atual - Saída / Canal

-
Corrente - Avanço DC (Se) (Máx.)

60mA

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