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Casa > Produtos > Isoladores de > Fotovoltaica saída Optoisolators - Transistor, > H11G2M

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3575520

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

H11G2M

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$0.62

500+

$0.472

1000+

$0.372

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

H11G2M
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

H11G2M.pdf
Tensão - Saída (Max)

80V
Tensão - Isolamento

4170Vrms
Voltagem - Avanço (Vf) (Tipo)

1.3V
Vce Saturação (Max)

1V
Ativar / Desativar o Tempo (Typ)

5µs, 100µs
Embalagem do dispositivo fornecedor

6-DIP
Série

-
Aumento / tempo de queda (típico)

-
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

6-DIP (0.300", 7.62mm)
Tipo de saída

Darlington with Base
Temperatura de operação

-40°C ~ 100°C
Número de canais

1
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

9 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada

DC
Descrição detalhada

Optoisolator Darlington with Base Output 4170Vrms 1 Channel 6-DIP
Taxa de transferência de corrente (Min)

1000% @ 10mA
Taxa de transferência de corrente (máx)

-
Atual - Saída / Canal

-
Corrente - Avanço DC (Se) (Máx.)

60mA

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Pagamento

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