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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > HUF76639S3S

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6380723

Imagem HUF76639S3S.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

HUF76639S3S

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

HUF76639S3S
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

HUF76639S3S.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±16V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

D²PAK (TO-263AB)
Série

UltraFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

26 mOhm @ 51A, 10V
Dissipação de energia (Max)

180W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2400pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

86nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

100V
Descrição detalhada

N-Channel 100V 51A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

51A (Tc)

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