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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > HUFA76409P3

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HUFA76409P3

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

HUFA76409P3
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 60V 18A TO-220AB
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

1.HUFA76409P3.pdf
2.HUFA76409P3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±16V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-220AB
Série

UltraFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

62 mOhm @ 18A, 10V
Dissipação de energia (Max)

49W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-220-3
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

485pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

60V
Descrição detalhada

N-Channel 60V 18A (Tc) 49W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

18A (Tc)

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HUFA76407D3ST

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HUFA76407D3S

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HUFA76419D3ST

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