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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > HUFA76609D3S

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HUFA76609D3S

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

HUFA76609D3S
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

HUFA76609D3S.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±16V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-252AA
Série

UltraFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

160 mOhm @ 10A, 10V
Dissipação de energia (Max)

49W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

425pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

100V
Descrição detalhada

N-Channel 100V 10A (Tc) 49W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

10A (Tc)

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