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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > ISL9N303AS3ST

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Imagem ISL9N303AS3ST.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

ISL9N303AS3ST

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

ISL9N303AS3ST
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

ISL9N303AS3ST.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

D²PAK (TO-263AB)
Série

UltraFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

3.2 mOhm @ 75A, 10V
Dissipação de energia (Max)

215W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

7000pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

172nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

N-Channel 30V 75A (Tc) 215W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

75A (Tc)

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