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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Arrays de transistores - Bipolar (BJT)- > MBT3906DW1T1G

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Imagem MBT3906DW1T1G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MBT3906DW1T1G

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75000+

$0.025

150000+

$0.021

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

MBT3906DW1T1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS 2PNP 40V 0.2A SC88
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

MBT3906DW1T1G.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

40V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 50mA
Tipo transistor

2 PNP (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor

SC-88/SC70-6/SOT-363
Série

-
Power - Max

150mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Outros nomes

MBT3906DW1T1GOSTR
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

40 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

250MHz
Descrição detalhada

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 40V 200mA 250MHz 150mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V
Atual - Collector Cutoff (Max)

-
Atual - Collector (Ic) (Max)

200mA
Número da peça base

MBT3906D

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