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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single > MJ15011G

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5559617

Imagem MJ15011G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MJ15011G

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

MJ15011G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS NPN 250V 10A TO3
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

MJ15011G.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

250V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

1V @ 400mA, 4A
Tipo transistor

NPN
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-204 (TO-3)
Série

-
Power - Max

200W
Embalagem

Tray
Caixa / Gabinete

TO-204AA, TO-3
Outros nomes

MJ15011GOS
Temperatura de operação

-65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

-
Descrição detalhada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 250V 10A 200W Through Hole TO-204 (TO-3)
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 2A, 2V
Atual - Collector Cutoff (Max)

1mA
Atual - Collector (Ic) (Max)

10A

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