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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single > MJD117T4G

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3120057

Imagem MJD117T4G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MJD117T4G

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Disponível

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5000+

$0.227

12500+

$0.225

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

MJD117T4G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

MJD117T4G.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

100V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

3V @ 40mA, 4A
Tipo transistor

PNP - Darlington
Embalagem do dispositivo fornecedor

DPAK
Série

-
Power - Max

1.75W
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes

MJD117T4GOSTR
Temperatura de operação

-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

17 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

25MHz
Descrição detalhada

Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 2A 25MHz 1.75W Surface Mount DPAK
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

1000 @ 2A, 3V
Atual - Collector Cutoff (Max)

20µA
Atual - Collector (Ic) (Max)

2A
Número da peça base

MJD117

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