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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single > MJD3055T4

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2122661

Imagem MJD3055T4.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MJD3055T4

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

MJD3055T4
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS NPN 60V 10A DPAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Contém chumbo / RoHS não compatível
Fichas de dados

MJD3055T4.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

60V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

8V @ 3.3A, 10A
Tipo transistor

NPN
Embalagem do dispositivo fornecedor

DPAK
Série

-
Power - Max

1.75W
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes

MJD3055T4OSCT
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Frequência - Transição

2MHz
Descrição detalhada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 10A 2MHz 1.75W Surface Mount DPAK
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 4A, 4V
Atual - Collector Cutoff (Max)

50µA
Atual - Collector (Ic) (Max)

10A
Número da peça base

MJD3055

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Forma de pagamento

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