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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single > MJD45H11G

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157191

Imagem MJD45H11G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MJD45H11G

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Disponível

1+

$0.61

75+

$0.505

150+

$0.413

525+

$0.326

1050+

$0.261

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

MJD45H11G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS PNP 80V 8A DPAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

MJD45H11G.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

80V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

1V @ 400mA, 8A
Tipo transistor

PNP
Embalagem do dispositivo fornecedor

DPAK
Série

-
Power - Max

1.75W
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes

MJD45H11G-ND
MJD45H11GOS
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

6 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

90MHz
Descrição detalhada

Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 8A 90MHz 1.75W Surface Mount DPAK
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 4A, 1V
Atual - Collector Cutoff (Max)

1µA
Atual - Collector (Ic) (Max)

8A
Número da peça base

MJD45H11

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