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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - blogosferas > MMBFJ175LT1G

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Imagem MMBFJ175LT1G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MMBFJ175LT1G

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Disponível

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Especificações

Modelo do Produto

MMBFJ175LT1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

MMBFJ175LT1G.pdf
Tensão - Cutoff (VGS off) @ Id

3V @ 10nA
Tensão - Breakdown (V (BR) GSS)

30V
Embalagem do dispositivo fornecedor

SOT-23-3 (TO-236)
Série

-
Resistência - RDS (on)

125 Ohms
Power - Max

225mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes

MMBFJ175LT1GOS
MMBFJ175LT1GOS-ND
MMBFJ175LT1GOSTR
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

40 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

11pF @ 10V (VGS)
Tipo FET

P-Channel
Descrição detalhada

JFET P-Channel 30V 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Atual - Drenagem (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

7mA @ 15V
Número da peça base

MBFJ175

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