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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single > MMBT2222LT3G

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Imagem MMBT2222LT3G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MMBT2222LT3G

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

MMBT2222LT3G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS NPN 30V 0.6A SOT-23
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

MMBT2222LT3G.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

30V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 50mA, 500mA
Tipo transistor

NPN
Embalagem do dispositivo fornecedor

SOT-23-3 (TO-236)
Série

-
Power - Max

300mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

250MHz
Descrição detalhada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 600mA 250MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max)

10nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max)

600mA
Número da peça base

MMBT2222

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