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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single > MMBT6517LT3

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6560542

Imagem MMBT6517LT3.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MMBT6517LT3

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

MMBT6517LT3
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS NPN 350V 0.1A SOT-23
Status sem chumbo / Status RoHS

Contém chumbo / RoHS não compatível
Fichas de dados

MMBT6517LT3.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

350V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

1V @ 5mA, 50mA
Tipo transistor

NPN
Embalagem do dispositivo fornecedor

SOT-23-3 (TO-236)
Série

-
Power - Max

225mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Frequência - Transição

200MHz
Descrição detalhada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 100mA 200MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 50mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max)

50nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max)

100mA
Número da peça base

MMBT6517

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