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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - matrizes, pre-tende > MUN5311DW1T1G

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2556625

Imagem MUN5311DW1T1G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MUN5311DW1T1G

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500+

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1000+

$0.052

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

MUN5311DW1T1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

MUN5311DW1T1G.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor

SC-88/SC70-6/SOT-363
Série

-
Resistor - Base do Emissor (R2)

10 kOhms
Resistor - Base (R1)

10 kOhms
Power - Max

250mW
Embalagem

Original-Reel®
Caixa / Gabinete

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Outros nomes

MUN5311DW1T1GOSDKR
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

40 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

-
Descrição detalhada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

35 @ 5mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max)

500nA
Atual - Collector (Ic) (Max)

100mA
Número da peça base

MUN53**DW1

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