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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single > NJVMJD31CG

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1738963

Imagem NJVMJD31CG.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NJVMJD31CG

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$0.438

525+

$0.347

1050+

$0.277

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

NJVMJD31CG
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS NPN 100V 3A DPAK-4
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

NJVMJD31CG.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

100V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

1.2V @ 375mA, 3A
Tipo transistor

NPN
Embalagem do dispositivo fornecedor

DPAK
Série

-
Power - Max

1.56W
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes

NJVMJD31CG-ND
NJVMJD31CGOS
Temperatura de operação

-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

4 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

3MHz
Descrição detalhada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.56W Surface Mount DPAK
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 3A, 4V
Atual - Collector Cutoff (Max)

50µA
Atual - Collector (Ic) (Max)

3A

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