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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single > NJVMJD45H11T4G-VF01

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Imagem NJVMJD45H11T4G-VF01.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NJVMJD45H11T4G-VF01

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500+

$0.509

1000+

$0.407

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

NJVMJD45H11T4G-VF01
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS PNP 80V 8A DPAK-4
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

NJVMJD45H11T4G-VF01.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

80V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

1V @ 400mA, 8A
Tipo transistor

PNP
Embalagem do dispositivo fornecedor

DPAK
Série

-
Power - Max

1.75W
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes

NJVMJD45H11T4G-VF01OSCT
NJVMJD45H11T4GOSCT
NJVMJD45H11T4GOSCT-ND
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

12 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

90MHz
Descrição detalhada

Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 8A 90MHz 1.75W Surface Mount DPAK
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 4A, 1V
Atual - Collector Cutoff (Max)

1µA
Atual - Collector (Ic) (Max)

8A

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Forma de pagamento

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