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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - matrizes, pre-tende > NSBA123JDXV6T1G

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5836142

Imagem NSBA123JDXV6T1G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSBA123JDXV6T1G

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

NSBA123JDXV6T1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

NSBA123JDXV6T1G.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor

2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor

SOT-563
Série

-
Resistor - Base do Emissor (R2)

47 kOhms
Resistor - Base (R1)

2.2 kOhms
Power - Max

500mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

SOT-563, SOT-666
Outros nomes

NSBA123JDXV6T1GOS
NSBA123JDXV6T1GOS-ND
NSBA123JDXV6T1GOSTR
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

-
Descrição detalhada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max)

500nA
Atual - Collector (Ic) (Max)

100mA
Número da peça base

NSBA1*

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