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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > NTD20N06L-001

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Imagem NTD20N06L-001.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTD20N06L-001

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

NTD20N06L-001
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Contém chumbo / RoHS não compatível
Fichas de dados

NTD20N06L-001.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±15V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

I-PAK
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

48 mOhm @ 10A, 5V
Dissipação de energia (Max)

1.36W (Ta), 60W (Tj)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Outros nomes

NTD20N06L-001OS
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

990pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

60V
Descrição detalhada

N-Channel 60V 20A (Ta) 1.36W (Ta), 60W (Tj) Through Hole I-PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

20A (Ta)

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