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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > NTD4909NA-35G

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Imagem NTD4909NA-35G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTD4909NA-35G

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Especificações

Modelo do Produto

NTD4909NA-35G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 30V 41A SGL IPAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
VGS (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

I-PAK
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

8 mOhm @ 30A, 10V
Dissipação de energia (Max)

-
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-251-3 Stub Leads, IPak
Temperatura de operação

-
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

10 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1314pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

17.5nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

N-Channel 30V 8.8A (Ta), 41A (Tc) Through Hole I-PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

8.8A (Ta), 41A (Tc)

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