NTDV20N06LT4G-VF01

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Especificações

Modelo do Produto

NTDV20N06LT4G-VF01
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±15V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

DPAK
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

48 mOhm @ 10A, 5V
Dissipação de energia (Max)

1.36W (Ta), 60W (Tj)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes

NTDV20N06LT4G-VF01
NTDV20N06LT4G-VF01-ND
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

4 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

990pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

60V
Descrição detalhada

N-Channel 60V 20A (Ta) 1.36W (Ta), 60W (Tj) Surface Mount DPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

20A (Ta)

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