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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > NTLJD3115PT1G

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Imagem NTLJD3115PT1G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTLJD3115PT1G

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível

3000+

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

NTLJD3115PT1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

NTLJD3115PT1G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor

6-WDFN (2x2)
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

100 mOhm @ 2A, 4.5V
Power - Max

710mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

6-WDFN Exposed Pad
Outros nomes

NTLJD3115PT1G-ND
NTLJD3115PT1GOSTR
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

41 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

531pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

6.2nC @ 4.5V
Tipo FET

2 P-Channel (Dual)
Característica FET

Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

20V
Descrição detalhada

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.3A 710mW Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

2.3A
Número da peça base

NTLJD3115P

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