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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > NTMFS4935NBT1G

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1963122

Imagem NTMFS4935NBT1G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTMFS4935NBT1G

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

NTMFS4935NBT1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 30V 13A SO8FL
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

NTMFS4935NBT1G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

3.2 mOhm @ 30A, 10V
Dissipação de energia (Max)

930mW (Ta), 48W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

8-PowerTDFN, 5 Leads
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4850pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

49.4nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

N-Channel 30V 13A (Ta), 93A (Tc) 930mW (Ta), 48W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

13A (Ta), 93A (Tc)

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