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Imagem NTMFS4983NFT3G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTMFS4983NFT3G

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Disponível

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Especificações

Modelo do Produto

NTMFS4983NFT3G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 30V 160A SO8FL
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

NTMFS4983NFT3G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.3V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

2.1 mOhm @ 30A, 10V
Dissipação de energia (Max)

1.7W (Ta), 38W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

8-PowerTDFN
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

42 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3250pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

47.9nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

N-Channel 30V 22A (Ta), 106A (Tc) 1.7W (Ta), 38W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

22A (Ta), 106A (Tc)

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