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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > NTTFS5820NLTWG

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Imagem NTTFS5820NLTWG.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTTFS5820NLTWG

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

NTTFS5820NLTWG
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 60V 37A 8DFN
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

NTTFS5820NLTWG.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

8-WDFN (3.3x3.3)
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

11.5 mOhm @ 8.7A, 10V
Dissipação de energia (Max)

2.7W (Ta), 33W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

8-PowerWDFN
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1462pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

60V
Descrição detalhada

N-Channel 60V 11A (Ta), 37A (Tc) 2.7W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

11A (Ta), 37A (Tc)

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