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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > NVD5C478NLT4G

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Imagem NVD5C478NLT4G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVD5C478NLT4G

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Especificações

Modelo do Produto

NVD5C478NLT4G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

T6 40V DPAK EXPANSION AND
Status sem chumbo / Status RoHS
Fichas de dados

NVD5C478NLT4G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.2V @ 30µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

DPAK
Série

Automotive, AEC-Q101
RDS ON (Max) @ Id, VGS

7.7 mOhm @ 15A, 10V
Dissipação de energia (Max)

3W (Ta), 30W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes

NVD5C478NLT4G-ND
NVD5C478NLT4GOSTR
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

19 Weeks
Status sem chumbo

Lead free
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

40V
Descrição detalhada

N-Channel 40V 14A (Ta), 45A (Tc) 3W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount DPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

14A (Ta), 45A (Tc)

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