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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > NVMFD5C680NLT1G

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Imagem NVMFD5C680NLT1G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVMFD5C680NLT1G

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Disponível

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Especificações

Modelo do Produto

NVMFD5C680NLT1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET 2N-CH 60V 26A S08FL
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

NVMFD5C680NLT1G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.2V @ 13µA
Embalagem do dispositivo fornecedor

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Série

Automotive, AEC-Q101
RDS ON (Max) @ Id, VGS

28 mOhm @ 5A, 10V
Power - Max

3W (Ta), 19W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

8-PowerTDFN
Outros nomes

NVMFD5C680NLT1G-ND
NVMFD5C680NLT1GOSTR
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

50 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

2nC @ 4.5V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica FET

Standard
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

60V
Descrição detalhada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 7.5A (Ta), 26A (Tc) 3W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

7.5A (Ta), 26A (Tc)

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