NVTFS5116PLTWG

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Especificações

Modelo do Produto

NVTFS5116PLTWG
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET P-CH 60V 14A 8WDFN
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

NVTFS5116PLTWG.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

8-WDFN (3.3x3.3)
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

52 mOhm @ 7A, 10V
Dissipação de energia (Max)

3.2W (Ta), 21W (Tc)
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

8-PowerWDFN
Outros nomes

NVTFS5116PLTWGOSCT
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

50 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1258pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

60V
Descrição detalhada

P-Channel 60V 6A (Ta) 3.2W (Ta), 21W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

6A (Ta)

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