RFD16N05SM9A

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Especificações

Modelo do Produto

RFD16N05SM9A
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 50V 16A TO-252AA
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

RFD16N05SM9A.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-252AA
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

47 mOhm @ 16A, 10V
Dissipação de energia (Max)

72W (Tc)
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes

RFD16N05SM9ACT
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

6 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

80nC @ 20V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

50V
Descrição detalhada

N-Channel 50V 16A (Tc) 72W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

16A (Tc)

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