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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single > SMMJT350T1G

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4721050

Imagem SMMJT350T1G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

SMMJT350T1G

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Disponível

2000+

$0.17

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

SMMJT350T1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS PNP 300V 0.5A SOT223
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

SMMJT350T1G.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

300V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

-
Tipo transistor

PNP
Embalagem do dispositivo fornecedor

SOT-223 (TO-261)
Série

-
Power - Max

650mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-261-4, TO-261AA
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

2 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

-
Descrição detalhada

Bipolar (BJT) Transistor PNP 300V 500mA 650mW Surface Mount SOT-223 (TO-261)
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 50mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max)

500mA

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