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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > SMMUN2213LT3G

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1280933

Imagem SMMUN2213LT3G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

SMMUN2213LT3G

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50000+

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

SMMUN2213LT3G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

SMMUN2213LT3G.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor

NPN - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor

SOT-23-3 (TO-236)
Série

-
Resistor - Base do Emissor (R2)

47 kOhms
Resistor - Base (R1)

47 kOhms
Power - Max

246mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes

SMMUN2213LT3G-ND
SMMUN2213LT3GOSTR
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

36 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descrição detalhada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max)

500nA
Atual - Collector (Ic) (Max)

100mA
Número da peça base

MMUN22**L

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