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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - matrizes, pre-tende > SMUN5237DW1T1G

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Imagem SMUN5237DW1T1G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

SMUN5237DW1T1G

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15000+

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30000+

$0.081

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Especificações

Modelo do Produto

SMUN5237DW1T1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

SMUN5237DW1T1G.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 5mA, 10mA
Tipo transistor

2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor

SC-88/SC70-6/SOT-363
Série

-
Resistor - Base do Emissor (R2)

22 kOhms
Resistor - Base (R1)

47 kOhms
Power - Max

187mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Outros nomes

SMUN5237DW1T1G-ND
SMUN5237DW1T1GOSTR
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

40 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

-
Descrição detalhada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 187mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max)

500nA
Atual - Collector (Ic) (Max)

100mA
Número da peça base

MUN52**DW1T

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