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Casa > Produtos > Circuitos integrados (ICs) > Memória > AS4C64M8D1-5BCN
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6516292Imagem AS4C64M8D1-5BCN.Alliance Memory, Inc.

AS4C64M8D1-5BCN

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível
240+
$3.292
480+
$3.28
720+
$3.159
1200+
$3.004
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    AS4C64M8D1-5BCN
  • Fabricante / Marca
    Alliance Memory, Inc.
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    AS4C64M8D1-5BCN.pdf
  • Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página
    15ns
  • Tensão - Fornecimento
    2.3 V ~ 2.7 V
  • Tecnologia
    SDRAM - DDR
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    60-FBGA (8x13)
  • Série
    -
  • Embalagem
    Tray
  • Caixa / Gabinete
    60-TFBGA
  • Outros nomes
    1450-1330
  • Temperatura de operação
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memória
    Volatile
  • Tamanho da memória
    512Mb (64M x 8)
  • Interface de memória
    Parallel
  • Formato de memória
    DRAM
  • Tempo de entrega padrão do fabricante
    8 Weeks
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrição detalhada
    SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 200MHz 700ps 60-FBGA (8x13)
  • Freqüência de relógio
    200MHz
  • Tempo de acesso
    700ps

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Envio
Pagamento
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AS4C64M8D1-5TIN

AS4C64M8D1-5TIN

Descrição: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C64M32MD1-5BINTR

AS4C64M32MD1-5BINTR

Descrição: IC DRAM 2G PARALLEL 90FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C64M8D1-5TINTR

AS4C64M8D1-5TINTR

Descrição: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C64M8D1-5BIN

AS4C64M8D1-5BIN

Descrição: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C64M32MD2-25BCN

AS4C64M32MD2-25BCN

Descrição: IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C64M4SA-6TIN

AS4C64M4SA-6TIN

Descrição: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C64M8D1-5BINTR

AS4C64M8D1-5BINTR

Descrição: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C64M4SA-7TCNTR

AS4C64M4SA-7TCNTR

Descrição: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C64M8D1-5TCN

AS4C64M8D1-5TCN

Descrição: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C64M4SA-7TCN

AS4C64M4SA-7TCN

Descrição: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C64M8D2-25BAN

AS4C64M8D2-25BAN

Descrição: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C64M8D1-5BCNTR

AS4C64M8D1-5BCNTR

Descrição: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C64M32MD2A-25BCNTR

AS4C64M32MD2A-25BCNTR

Descrição: IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C64M32MD2A-25BCN

AS4C64M32MD2A-25BCN

Descrição: IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C64M4SA-6TINTR

AS4C64M4SA-6TINTR

Descrição: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C64M8D2-25BCN

AS4C64M8D2-25BCN

Descrição: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C64M8D2-25BANTR

AS4C64M8D2-25BANTR

Descrição: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C64M32MD1-5BIN

AS4C64M32MD1-5BIN

Descrição: IC DRAM 2G PARALLEL 90FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C64M8D1-5TCNTR

AS4C64M8D1-5TCNTR

Descrição: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C64M32MD2-25BCNTR

AS4C64M32MD2-25BCNTR

Descrição: IC DRAM 2G PARALLEL 134FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
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