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Casa > Produtos > Circuitos integrados (ICs) > Memória > AS4C8M16D1A-5TCNTR
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4598485Imagem AS4C8M16D1A-5TCNTR.Alliance Memory, Inc.

AS4C8M16D1A-5TCNTR

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível
1000+
$1.645
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    AS4C8M16D1A-5TCNTR
  • Fabricante / Marca
    Alliance Memory, Inc.
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    AS4C8M16D1A-5TCNTR.pdf
  • Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página
    15ns
  • Tensão - Fornecimento
    2.3 V ~ 2.7 V
  • Tecnologia
    SDRAM - DDR
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    66-TSOP II
  • Série
    -
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Temperatura de operação
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memória
    Volatile
  • Tamanho da memória
    128Mb (8M x 16)
  • Interface de memória
    Parallel
  • Formato de memória
    DRAM
  • Tempo de entrega padrão do fabricante
    8 Weeks
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrição detalhada
    SDRAM - DDR Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 200MHz 700ps 66-TSOP II
  • Freqüência de relógio
    200MHz
  • Tempo de acesso
    700ps

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AS4C8M16D1A-5TINTR

AS4C8M16D1A-5TINTR

Descrição: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C8M16S-6TCN

AS4C8M16S-6TCN

Descrição: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C8M16D1A-5TIN

AS4C8M16D1A-5TIN

Descrição: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C8M16S-6TCNTR

AS4C8M16S-6TCNTR

Descrição: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C8M16S-6TAN

AS4C8M16S-6TAN

Descrição: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C8M16D1A-5TCN

AS4C8M16D1A-5TCN

Descrição: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C64M8SA-7TCNTR

AS4C64M8SA-7TCNTR

Descrição: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C8M16MSA-6BIN

AS4C8M16MSA-6BIN

Descrição: IC DRAM 128M PARALLEL 54FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C8M16D1-5TCNTR

AS4C8M16D1-5TCNTR

Descrição: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C8M16S-6TANTR

AS4C8M16S-6TANTR

Descrição: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C8M16D1-5TINTR

AS4C8M16D1-5TINTR

Descrição: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C8M16D1-5TCN

AS4C8M16D1-5TCN

Descrição: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C8M16D1-5BIN

AS4C8M16D1-5BIN

Descrição: IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C8M16D1-5TIN

AS4C8M16D1-5TIN

Descrição: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C8M16D1-5BINTR

AS4C8M16D1-5BINTR

Descrição: IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C8M16MSA-6BINTR

AS4C8M16MSA-6BINTR

Descrição: IC DRAM 128M PARALLEL 54FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C8M16D1-5BCN

AS4C8M16D1-5BCN

Descrição: IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C8M16D1-5BCNTR

AS4C8M16D1-5BCNTR

Descrição: IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C8M16S-6BIN

AS4C8M16S-6BIN

Descrição: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
AS4C8M16S-6BINTR

AS4C8M16S-6BINTR

Descrição: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
RFQ
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