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Casa > Produtos > Circuitos integrados (ICs) > Memória > AS4C8M32SA-7BCN
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4864827Imagem AS4C8M32SA-7BCN.Alliance Memory, Inc.

AS4C8M32SA-7BCN

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível
1+
$7.22
10+
$6.642
25+
$6.504
50+
$6.481
190+
$5.814
380+
$5.638
570+
$5.362
1140+
$5.174
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    AS4C8M32SA-7BCN
  • Fabricante / Marca
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
  • Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página
    2ns
  • Tensão - Fornecimento
    3 V ~ 3.6 V
  • Tecnologia
    SDRAM
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    90-TFBGA (8x13)
  • Série
    -
  • Embalagem
    Tray
  • Caixa / Gabinete
    90-TFBGA
  • Outros nomes
    1450-1422
    AS4C8M32SA-7BCN-ND
  • Temperatura de operação
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memória
    Volatile
  • Tamanho da memória
    256Mb (8M x 32)
  • Interface de memória
    Parallel
  • Formato de memória
    DRAM
  • Tempo de entrega padrão do fabricante
    8 Weeks
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrição detalhada
    SDRAM Memory IC 256Mb (8M x 32) Parallel 143MHz 5.4ns 90-TFBGA (8x13)
  • Freqüência de relógio
    143MHz
  • Tempo de acesso
    5.4ns
AS4PGHM3/86A

AS4PGHM3/86A

Descrição: DIODE AVALANCHE 400V 2.4A TO277A

Fabricantes: Vishay Semiconductor Diodes Division
Disponível
AS4C8M32S-6TINTR

AS4C8M32S-6TINTR

Descrição: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
AS4PDHM3/86A

AS4PDHM3/86A

Descrição: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Fabricantes: Vishay Semiconductor Diodes Division
Disponível
AS4C8M32S-6BINTR

AS4C8M32S-6BINTR

Descrição: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
AS4PDHM3_A/I

AS4PDHM3_A/I

Descrição: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
AS4C8M32S-7TCN

AS4C8M32S-7TCN

Descrição: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
AS4C8M32S-6BIN

AS4C8M32S-6BIN

Descrição: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
AS4PD-M3/87A

AS4PD-M3/87A

Descrição: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
AS4C8M32S-7TCNTR

AS4C8M32S-7TCNTR

Descrição: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
AS4C8M32SA-6BINTR

AS4C8M32SA-6BINTR

Descrição: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
AS4PD-M3/86A

AS4PD-M3/86A

Descrição: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
AS4C8M32S-7BCN

AS4C8M32S-7BCN

Descrição: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
AS4PDHM3_A/H

AS4PDHM3_A/H

Descrição: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
AS4PG-M3/86A

AS4PG-M3/86A

Descrição: DIODE AVALANCHE 400V 2.4A TO277A

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
AS4PDHM3/87A

AS4PDHM3/87A

Descrição: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Fabricantes: Vishay Semiconductor Diodes Division
Disponível
AS4C8M32S-7BCNTR

AS4C8M32S-7BCNTR

Descrição: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
AS4C8M32SA-6BIN

AS4C8M32SA-6BIN

Descrição: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
AS4C8M32SA-7BCNTR

AS4C8M32SA-7BCNTR

Descrição: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
AS4C8M32S-6TIN

AS4C8M32S-6TIN

Descrição: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Disponível
AS4PG-M3/87A

AS4PG-M3/87A

Descrição: DIODE AVALANCHE 400V 2.4A TO277A

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível

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