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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > AOB418L

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Imagem AOB418L.

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

AOB418L

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

AOB418L
Fabricante / Marca

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 100V 105A D2PAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

AOB418L.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3.9V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-263 (D²Pak)
Série

SDMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS

9.7 mOhm @ 20A, 10V
Dissipação de energia (Max)

2.1W (Ta), 333W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes

785-1211-2
AOB418
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5200pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

83nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

100V
Descrição detalhada

N-Channel 100V 9.5A (Ta), 105A (Tc) 2.1W (Ta), 333W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

9.5A (Ta), 105A (Tc)

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