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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > AOI516_001

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Imagem AOI516_001.

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

AOI516_001

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

AOI516_001
Fabricante / Marca

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 30V 18A
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
VGS (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-251B
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

5 mOhm @ 20A, 10V
Dissipação de energia (Max)

2.5W (Ta), 50W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-251-3 Stub Leads, IPak
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1229pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

N-Channel 30V 18A (Ta), 46A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Through Hole TO-251B
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

18A (Ta), 46A (Tc)

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