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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > AON7932_101

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Imagem AON7932_101.

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

AON7932_101

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

AON7932_101
Fabricante / Marca

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET 2N-CH 30V 6.6A/8.1A 8DFN
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

AON7932_101.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor

8-DFN (3x3)
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

20 mOhm @ 6.6A, 10V
Power - Max

1.4W
Embalagem

Bulk
Caixa / Gabinete

8-WDFN Exposed Pad
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

460pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

6.5nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)
Característica FET

Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 6.6A, 8.1A 1.4W Surface Mount 8-DFN (3x3)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

6.6A, 8.1A

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