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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - RF > 2SC5606-T1-A

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4474033

Imagem 2SC5606-T1-A.

CEL (California Eastern Laboratories)

2SC5606-T1-A

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

2SC5606-T1-A
Fabricante / Marca

CEL (California Eastern Laboratories)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

RF TRANSISTOR NPN SOT-523
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

2SC5606-T1-A.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

3.3V
Tipo transistor

NPN
Embalagem do dispositivo fornecedor

SOT-523
Série

-
Power - Max

115mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

SOT-523
Outros nomes

2SC5606-T1-ATR
Temperatura de operação

150°C (TJ)
Fator de ruído (dB Typ @ f)

1.2dB @ 2GHz
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Ganho

14dB
Frequência - Transição

21GHz
Descrição detalhada

RF Transistor NPN 3.3V 35mA 21GHz 115mW Surface Mount SOT-523
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 2V
Atual - Collector (Ic) (Max)

35mA

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