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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - RF > NE3512S02-T1C-A

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Imagem NE3512S02-T1C-A.

CEL (California Eastern Laboratories)

NE3512S02-T1C-A

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

NE3512S02-T1C-A
Fabricante / Marca

CEL (California Eastern Laboratories)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

HJ-FET NCH 13.5DB S02
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

1.NE3512S02-T1C-A.pdf
2.NE3512S02-T1C-A.pdf
Tensão - Teste

2V
Tensão - M

4V
Tipo transistor

HFET
Embalagem do dispositivo fornecedor

S02
Série

-
Potência

-
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

4-SMD, Flat Leads
Outros nomes

NE3512S02-T1C-ACT
Fator de ruído

0.35dB
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Ganho

13.5dB
Freqüência

12GHz
Descrição detalhada

RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 13.5dB S02
Potência nominal

70mA
Atual - Teste

10mA
Número da peça base

NE3512

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