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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - RF > NE85633-R23-A

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NE85633-R23-A

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

NE85633-R23-A
Fabricante / Marca

CEL (California Eastern Laboratories)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

RF TRANSISTOR NPN SOT-23
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

NE85633-R23-A.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

12V
Tipo transistor

NPN
Embalagem do dispositivo fornecedor

SOT-23
Série

-
Power - Max

200mW
Embalagem

Bulk
Caixa / Gabinete

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Temperatura de operação

150°C (TJ)
Fator de ruído (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Ganho

11.5dB
Frequência - Transição

7GHz
Descrição detalhada

RF Transistor NPN 12V 100mA 7GHz 200mW Surface Mount SOT-23
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 10V
Atual - Collector (Ic) (Max)

100mA
Número da peça base

NE85633

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