Para visitantes da Electronica 2024

Reserve seu tempo agora!

Só é preciso alguns cliques para reservar seu lugar e obter o bilhete do estande

Hall C5 Booth 220

Registro antecipado

*Nome da Empresa
*Nome
*Título

*Endereço de e-mail
*Número de telefone

*País
*Janela de contato
*Data do evento

*Mensagem

Para visitantes da Electronica 2024

Você está se inscrevendo! Obrigado por marcar uma consulta!
Enviaremos os tickets de estande por e -mail assim que verificarmos sua reserva.

Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Diodos - retificadores - Single > 1N4446 TR

RFQs/Ordem (0)

Português

Português

1654680

1N4446 TR

Inquérito On-line

Preencha todos os campos necessários com suas informações de contato.Click "Envie RFQ", entraremos em contato com você em breve por e -mail.Ou envie um email:info@ftcelectronics.com

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

1N4446 TR
Fabricante / Marca

Central Semiconductor
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35
Status sem chumbo / Status RoHS

Solicitar verificação de inventário / Solicitar verificação de inventário
Fichas de dados

1N4446 TR.pdf
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se

1V @ 20mA
Tensão - DC reversa (Vr) (Max)

100V
Embalagem do dispositivo fornecedor

DO-35
Velocidade

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Série

-
Inversa de tempo de recuperação (trr)

4ns
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

DO-204AH, DO-35, Axial
Outros nomes

1N4446 TR-ND
1N4446CSTR
Temperatura de Operação - Junção

-65°C ~ 200°C
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Request inventory verification / Request inventory verification
Tipo Diode

Standard
Descrição detalhada

Diode Standard 100V 150mA Through Hole DO-35
Atual - dispersão reversa @ Vr

25nA @ 20V
Atual - rectificada média (Io)

150mA
Capacitância @ Vr, F

4pF @ 0V, 1MHz

Informações Relacionadas
Remessa
Forma de pagamento

A Intel receberá US $ 7,86 bilhões em subsídios sob a Le...

A AMD lança a construção da segunda fase do Bangalore De...

A placa gráfica NVIDIA RTX 5090 possui uma área de GPU de...

Anthropic recebe outro investimento de US $ 4 bilhões da A...

Semi: as vendas de IC aumentam 12% no terceiro trimestr...

É relatado que a Kioxia receberá aprovação de listagem ...

A mais recente plataforma óptica de silício do semicondut...

A indústria se recupera lentamente.O fornecedor epitaxial ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Fornecedor: um grande número de componentes da GPU da sér...

Taiwan, o valor de saída do semicondutor da China aumentar...

Envio

Pagamento

O seguinte é "1N4446 TR" produtos relacionados.

1N4384GPHE3/54

Descrição: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

1N4385GP-E3/54

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

1N4385GPHE3/54

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

1N4446_T50R

Descrição: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Disponível

1N4448

Descrição: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Disponível

1N4437_FT

1N4437_FT

Descrição: BRIDGE RECT 1PHASE 400V TO3

Fabricantes: Microsemi

Disponível

1N4446TR

Descrição: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Disponível

1N4447

Descrição: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Fabricantes: Microsemi

Disponível

1N4447TR

Descrição: DIODE GEN PURP 100V DO35

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Disponível

1N4447

Descrição: DIODE GEN PURP 100V DO35

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Disponível

1N4444-1

1N4444-1

Descrição: DIODE SWITCHING

Fabricantes: Microsemi

Disponível

1N4448

Descrição: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Fabricantes: Microsemi

Disponível

1N4436

1N4436

Descrição: SINGLE PHASE BRIDGE RECTIFIER

Fabricantes: Microsemi

Disponível

1N4384GPHE3/73

Descrição: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

1N4446

Descrição: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Fabricantes: Microsemi

Disponível

1N4448 BK

1N4448 BK

Descrição: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Fabricantes: Central Semiconductor

Disponível

1N4446

Descrição: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Disponível

1N4446 BK

1N4446 BK

Descrição: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Fabricantes: Central Semiconductor

Disponível

1N4448 A0G

Descrição: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)

Disponível

1N4448 TR

Descrição: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Fabricantes: Central Semiconductor Corp

Disponível

Como o único distribuidor público de mercado aberto, possuímos uma combinação única de acesso global, experiência na indústria de manufatura e qualidade comprovada.Com isso, podemos criar soluções personalizadas de cadeia de suprimentos de ponta a ponta para o fornecimento de componentes eletrônicos e gerenciamento de inventário.

SEGUE-NOS

termos e Condições Política de infração Solicitar uma cotação Sobre nós Contate-nos Mapa do site

Selecione o idioma

Clique no espaço para sair

Linguagem atual

Escolha o seu país ou a sua região.