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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Arrays de transistores - Bipolar (BJT)- > 2N3809

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5270693

2N3809

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

2N3809
Fabricante / Marca

Central Semiconductor
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS 2PNP 50MA 60V TO78-6
Status sem chumbo / Status RoHS

Contém chumbo / RoHS não compatível
Fichas de dados

2N3809.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

60V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

-
Tipo transistor

2 PNP (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-78-6
Série

-
Power - Max

600mW
Embalagem

Bulk
Caixa / Gabinete

TO-78-6 Metal Can
Temperatura de operação

-
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Frequência - Transição

100MHz
Descrição detalhada

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 50mA 100MHz 600mW Through Hole TO-78-6
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

300 @ 1mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max)

-
Atual - Collector (Ic) (Max)

50mA

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