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Casa > Produtos > Circuitos integrados (ICs) > Memória > CY14B104M-ZSP25XIT

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Imagem CY14B104M-ZSP25XIT.

Cypress Semiconductor

CY14B104M-ZSP25XIT

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Disponível

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

CY14B104M-ZSP25XIT
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

IC NVSRAM 4M PARALLEL 54TSOP
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

CY14B104M-ZSP25XIT.pdf
Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página

25ns
Tensão - Fornecimento

2.7 V ~ 3.6 V
Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Embalagem do dispositivo fornecedor

54-TSOP II
Série

-
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Temperatura de operação

-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memória

Non-Volatile
Tamanho da memória

4Mb (256K x 16)
Interface de memória

Parallel
Formato de memória

NVSRAM
Tempo de entrega padrão do fabricante

11 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descrição detalhada

NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 25ns 54-TSOP II
Número da peça base

CY14B104
Tempo de acesso

25ns

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