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Casa > Produtos > Circuitos integrados (ICs) > Memória > CY7C1426KV18-333BZC

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Imagem CY7C1426KV18-333BZC.

Cypress Semiconductor

CY7C1426KV18-333BZC

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

CY7C1426KV18-333BZC
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA
Status sem chumbo / Status RoHS

Contém chumbo / RoHS não compatível
Fichas de dados

CY7C1426KV18-333BZC.pdf
Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página

-
Tensão - Fornecimento

1.7 V ~ 1.9 V
Tecnologia

SRAM - Synchronous, QDR II
Embalagem do dispositivo fornecedor

165-FBGA (13x15)
Série

-
Embalagem

Tray
Caixa / Gabinete

165-LBGA
Outros nomes

CY7C1426KV18333BZC
Temperatura de operação

0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memória

Volatile
Tamanho da memória

36Mb (4M x 9)
Interface de memória

Parallel
Formato de memória

SRAM
Status sem chumbo / status de RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Descrição detalhada

SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 36Mb (4M x 9) Parallel 333MHz 165-FBGA (13x15)
Freqüência de relógio

333MHz
Número da peça base

CY7C1426

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Forma de pagamento

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CY7C144-15AXCT

Descrição: IC SRAM 64K PARALLEL 64TQFP

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CY7C144-15AXIT

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CY7C1426UV18-300BZC

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