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Casa > Produtos > Circuitos integrados (ICs) > Memória > S29GL512S11FHB023

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Imagem S29GL512S11FHB023.

Cypress Semiconductor

S29GL512S11FHB023

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Disponível

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$8.704

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

S29GL512S11FHB023
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página

60ns
Tensão - Fornecimento

2.7 V ~ 3.6 V
Tecnologia

FLASH - NOR
Embalagem do dispositivo fornecedor

64-Fortified BGA (13x11)
Série

GL-S
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

64-LBGA
Temperatura de operação

-40°C ~ 105°C (TA)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memória

Non-Volatile
Tamanho da memória

512Mb (32M x 16)
Interface de memória

Parallel
Formato de memória

FLASH
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descrição detalhada

FLASH - NOR Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 110ns 64-Fortified BGA (13x11)
Tempo de acesso

110ns

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Fabricantes: Cypress Semiconductor

Disponível

S29GL512S11DHSS20

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Descrição: IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA

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Disponível

S29GL512S11FHIV10

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Descrição: IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA

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Disponível

S29GL512S11FAIV13

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S29GL512S11GHB020

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S29GL512S11GHI023

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S29GL512S11FHI010

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S29GL512S11FHIV13

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S29GL512S11FAIV20

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S29GL512S11DHV023

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