V29GL512P11TAI020

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Especificações

Modelo do Produto

V29GL512P11TAI020
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Modelo ECAD
Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página

-
Tensão - Fornecimento

2.7 V ~ 3.6 V
Tecnologia

FLASH - NOR
Embalagem do dispositivo fornecedor

56-TSOP (18.4x14)
Série

GL-P
Embalagem

Tray
Caixa / Gabinete

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Temperatura de operação

-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memória

Non-Volatile
Tamanho da memória

512Mb (32M x 16)
Interface de memória

Parallel
Formato de memória

FLASH
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descrição detalhada

FLASH - NOR Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 56-TSOP (18.4x14)

Informações Relacionadas
Remessa
Forma de pagamento

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Apoiamos vários métodos de pagamento, incluindo cartões de crédito, transferências de arame e outras opções e aceitamos a maioria das moedas.Para pedidos feitos em USD, opções de pagamento adicionais estão disponíveis.Para obter mais detalhes sobre métodos e procedimentos de pagamento, entre em contato com nossa equipe de vendas.

O seguinte é "V29GL512P11TAI020" produtos relacionados.

EDFB232A1MA-GD-F-D

Descrição: IC DRAM 32G PARALLEL 800MHZ

Fabricantes: Micron Technology

Disponível

V29GL512P11TAI020

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