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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - matrizes, pre-tende > DCX114EU-7

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6290658

Imagem DCX114EU-7.

Diodes Incorporated

DCX114EU-7

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

DCX114EU-7
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
Status sem chumbo / Status RoHS

Contém chumbo / RoHS não compatível
Fichas de dados

DCX114EU-7.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor

SOT-363
Série

-
Resistor - Base do Emissor (R2)

10 kOhms
Resistor - Base (R1)

10 kOhms
Power - Max

200mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Outros nomes

DCX114EUDITR
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Frequência - Transição

250MHz
Descrição detalhada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-363
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max)

500nA
Atual - Collector (Ic) (Max)

100mA
Número da peça base

DCX114

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